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R5016ANX
　　 Nch 500V 16A Power MOSFET
l Outline
　　
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
I D
P D
500V
0.27Ω
±16A
50W
TO-220FM
　
　
　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　
　
　
　
　 　 　 　 　 　
l Inner circuit
l Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (V GSS ) guaranteed
　　 to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
l Packaging specifications
Packing
Reel size (mm)
Bulk
-
l Application
Switching Power Supply
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
-
500
-
R5016ANX
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Symbol
V DSS
Value
500
Unit
V
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, repetitive
Avalanche current
Power dissipation (T c = 25°C)
Junction temperature
Range of storage temperature
Reverse diode dv/dt
T C = 25°C
T C = 100°C
I D*1
I D*1
I D,pulse*2
V GSS
E AS*3
E AR*4
I AR*3
P D
T j
T stg
dv/dt
±16
±7.8
±64
±30
17
3.5
8
50
150
-55 to +150
15
A
A
A
V
mJ
mJ
A
W
℃
℃
V/ns
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/13
20131113 - Rev.001 　 　
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